Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Реферативна база даних (19) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Курмашев Ш$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||
| 1. | 
Викулин И.М. Аналоговый преобразователь света на однопереходном транзисторе [Електронний ресурс] / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, А.В. Веремьева // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 3. - С. 44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_3_8 Рассмотрен принцип действия аналогового преобразователя света на основе генератора на однопереходном транзисторе с токозадающим элементом и конденсатором в эмиттерной цепи. Выходным параметром является частота генерации как функция интенсивности света. Максимальная чувствительность достигается, когда в качестве токозадающего элемента используется биполярный фототранзистор, а емкость конденсатора снижается с уменьшением напряжения. | ||
| 2. | 
Курмашев Ш. Д. Свойства планарных транзисторных термодатчиков при действии радиации [Електронний ресурс] / Ш. Д. Курмашев, И. М. Викулин, А.Н. Софронков // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2011. - № 2. - С. 63-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2011_2_10 Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления <$E beta> от величины потоков электронов, нейтронов и <$E gamma>-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучено влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1,5 - 2 порядка выше, чем коэффициента усиления. Степень деградации U и <$E beta> зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов. | ||
| 3. |
Викулин И. М. Деградация элементов волоконно-оптических линий связи при радиационном облучении [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, В. Э. Горбачев, С. К. Криськив // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2012. - № 1. - С. 57-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2012_1_12 Рассмотрены механизмы изменения параметров компонентов ВОЛС при радиационном воздействии. Влияние радиации на элементы ВОЛС проявляется в уменьшении интенсивности света, излучаемого светодиодом, а также в снижении чувствительности фотоприемника, принимающего световой сигнал. | ||
| 4. |
Викулин И. М. Мостовые датчики на основе полевых транзисторов [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, А. В. Веремьева, О. Н. Софронков // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2013. - № 2. - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2013_2_5 Розглянуто можливість використання польових транзисторів у мостових датчиках магнітного поля, температури та світла. Показано, що максимальна чутливість досягається в мостових схемах датчиків, де в якості всіх чотирьох елементів в плечах моста використовуються польові транзистори, причому в одній парі транзисторів струм збільшується зі зростанням вимірюваної величини, а в іншій - зменшується. | ||
| 5. | 
Курмашев Ш. Д. Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев [Електронний ресурс] / Ш. Д. Курмашев, О. А. Кулинич, Г. И. Брусенская, А. В. Веремьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 5-6. - С. 57-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_5-6_10 Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10{\up\fs8 9} - 10{\up\fs8 12} м{\up\fs8 –2}. Такие сетки создаются перед нанесением эпитаксиального слоя на фронтальной поверхности кремниевой подложки путем предварительного ее окисления и последующего стравливания слоя оксида. Показано, что в структурах, содержащих дислокационные сетки, в результате облучения уменьшаются в 5 - 8 раз обратные токи и в 5 -10 раз плотность дефектов, а подвижность носителей заряда увеличивается в 1,2 раза. Выход годных для работы в условиях радиационного воздействия полупроводниковых структур, сформированных в оптимальном режиме, увеличивается на 7 - 10 % в партии по сравнению со структурами без дислокационных сеток. Полученные результаты могут быть использованы в технологии изготовления радиационно стойких интегральных схем (биполярных, КМОП, Би-КМОП и др.).Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10{\up\fs8 9} - 10{\up\fs8 12} м{\up\fs8 –2}. Такі сітки створюються на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксіального шару шляхом попереднього її окислення та подальшого стравлювання шару оксиду. Показано, що в структурах з дислокаційними сітками після опромінення зменшуються в 5 - 8 разів зворотні струми та в 5 - 10 разів щільність дефектів, а рухливість носіїв заряду збільшується в 1,2 раза. Вихід придатних для роботи в умовах радіаційного впливу напівпровідникових структур, сформованих в оптимальному режимі, збільшується на 7 - 10 % в партії у порівнянні зі структурами без дислокаційних сіток. Одержані результати можуть бути використані в технології виготовлення радіаційно стійких інтегральних схем (біполярних, КМОП, Бі-КМОП та ін.).The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by cre¬ating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10{\up\fs8 9} - 10{\up\fs8 12} m{\up\fs8 –2}. Such networks are created before the epitaxial layer is applied on the front surface of the silicon substrate by its preliminary oxidation and subsequent etching of the oxide layer. The substrates were silicon wafers KEF-4.5 and KDB-10 with a diameter of about 40 mm, grown by the Czochralski method. Irradiation of the samples was carried out using electron linear accelerator "Electronics" (ЭЛУ-4). Energy of the particles was 2,3 - 3,0 MeV, radiation dose 10{\up\fs8 15} - 10{\up\fs8 20} m{\up\fs8 –2}, electron beam current 2 mA/m{\up\fs8 2}. It is shown that in structures containing dislocation networks, irradiation results in reduction of the reverse currents by 5 - 8 times and of the density of defects by 5 - 10 times, while the mobility of the charge carriers is increased by 1,2 times. Wafer yield for operation under radiation exposure, when the semiconductor structures are formed in the optimal mode, is increased by 7 - 10 % compared to the structures without dislocation networks. The results obtained can be used in manu¬facturing technology for radiation-resistant integrated circuits (bipolar, CMOS, BiCMOS, etc.). | ||
| 6. |
Викулин И. М. Влияние радиации на термочувствительность биполярных транзисторов [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2015. - № 2. - С. 12-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2015_2_4 Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного транзистора выбрано прямое падение напряжения на эмиттерном переходе. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения - потоков электронов, нейтронов и под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на два порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра (падения напряжения на прямосмещенном эмиттерном p-n-переходе), что повышает процент выхода годных приборов.Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом под воздействием нейтронов начинается при потоках почти на два порядка меньших, чем под воздействием электронов. Облучение приводит не только к возрастанию термочувствительности детекторов в 2 - 5 раз, но и к уменьшению разброса ее значений среди различных образцов. Деградация характеристик полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом начинается при потоках облучения на два порядка меньших, чем деградация транзисторов с управляющим p-n-переходом. Воздействие малыми дозами gamma-квантов не уменьшает разброс параметров МДП-транзисторов, а gamma-облучение значительными экспозиционными дозами приводит к улучшению воспроизводимости тока насыщения стока и термочувствительности полевых МДП-транзисторов. | ||
| 7. |
Викулин И. М. Влияние радиации на термочувствительность полевых транзисторов [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 2. - С. 11-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2016_2_4 Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного транзистора выбрано прямое падение напряжения на эмиттерном переходе. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения - потоков электронов, нейтронов и под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на два порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра (падения напряжения на прямосмещенном эмиттерном p-n-переходе), что повышает процент выхода годных приборов.Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом под воздействием нейтронов начинается при потоках почти на два порядка меньших, чем под воздействием электронов. Облучение приводит не только к возрастанию термочувствительности детекторов в 2 - 5 раз, но и к уменьшению разброса ее значений среди различных образцов. Деградация характеристик полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом начинается при потоках облучения на два порядка меньших, чем деградация транзисторов с управляющим p-n-переходом. Воздействие малыми дозами gamma-квантов не уменьшает разброс параметров МДП-транзисторов, а gamma-облучение значительными экспозиционными дозами приводит к улучшению воспроизводимости тока насыщения стока и термочувствительности полевых МДП-транзисторов. | ||
| 8. |
Викулин И. М. Варисторы из монодисперсных керамических порошков SiC и Si3N4, полученные с помощью лазерного излучения [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 1. - С. 29-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2016_1_6 Рассмотрен процесс получения порошков карбида кремния SiC и нитрида кремния Si3N4 с применением излучения CO2-лазера. Технология отличается тем, что используемые в процессе изготовления реагентные газы - силан SiH | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |